SiC क्रिस्टल वृद्धि के लिए झरझरा ग्रेफाइट

वर्तमान में, अधिकांश SiC सब्सट्रेट निर्माता झरझरा ग्रेफाइट सिलेंडर के साथ एक नए क्रूसिबल थर्मल फील्ड प्रक्रिया डिजाइन का उपयोग करते हैं: ग्रेफाइट क्रूसिबल दीवार और झरझरा ग्रेफाइट सिलेंडर के बीच उच्च शुद्धता वाले SiC कण कच्चे माल को रखते हुए, पूरे क्रूसिबल को गहरा करते हुए और क्रूसिबल व्यास को बढ़ाते हुए। फायदा यह है कि चार्जिंग वॉल्यूम बढ़ने के साथ-साथ कच्चे माल का वाष्पीकरण क्षेत्र भी बढ़ जाता है। नई प्रक्रिया क्रिस्टल दोषों की समस्या को हल करती है, जो कच्चे माल के ऊपरी हिस्से के पुन: क्रिस्टलीकरण के कारण होती है क्योंकि स्रोत सामग्री की सतह पर विकास बढ़ता है, जो उर्ध्वपातन के भौतिक प्रवाह को प्रभावित करता है। नई प्रक्रिया कच्चे माल के क्षेत्र में क्रिस्टल विकास के लिए तापमान वितरण की संवेदनशीलता को भी कम करती है, बड़े पैमाने पर स्थानांतरण दक्षता में सुधार और स्थिर करती है, विकास के बाद के चरणों में कार्बन समावेशन के प्रभाव को कम करती है, और SiC क्रिस्टल की गुणवत्ता में और सुधार करती है। नई प्रक्रिया एक बीज रहित क्रिस्टल समर्थन निर्धारण विधि का भी उपयोग करती है जो बीज क्रिस्टल से चिपकती नहीं है, जिससे मुक्त थर्मल विस्तार होता है और तनाव से राहत मिलती है। यह नई प्रक्रिया थर्मल क्षेत्र को अनुकूलित करती है और व्यास विस्तार की दक्षता में काफी सुधार करती है।

इस नई प्रक्रिया द्वारा प्राप्त SiC एकल क्रिस्टल की गुणवत्ता और उपज क्रूसिबल ग्रेफाइट और झरझरा ग्रेफाइट के भौतिक गुणों पर काफी हद तक निर्भर है। उच्च प्रदर्शन वाले झरझरा ग्रेफाइट की तत्काल मांग न केवल झरझरा ग्रेफाइट को बेहद महंगा बनाती है, बल्कि बाजार में गंभीर कमी का कारण भी बनती है।

की बुनियादी प्रदर्शन आवश्यकताएँझरझरा ग्रेफाइट

(1) उचित छिद्र आकार वितरण;

(2) High enough porosity;

(3) यांत्रिक शक्ति जो प्रसंस्करण और उपयोग की आवश्यकताओं को पूरा करती है।

सेमीकोरेक्स उच्च गुणवत्ता प्रदान करता हैझरझरा ग्रेफाइटभागों. यदि आपके पास कोई पूछताछ है या अतिरिक्त विवरण की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

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