2024-03-15
परिचय कराने के लिएसिक लेपित ग्रेफाइट रिसीवर, इसके अनुप्रयोग को समझना महत्वपूर्ण है। उपकरणों का निर्माण करते समय, कुछ वेफर सब्सट्रेट्स पर अतिरिक्त एपिटैक्सियल परतें बनाने की आवश्यकता होती है। उदाहरण के लिए, एलईडी प्रकाश उत्सर्जक उपकरणों को सिलिकॉन सब्सट्रेट्स पर GaAs एपिटैक्सियल परतों की तैयारी की आवश्यकता होती है; जबकि SiC सबस्ट्रेट्स पर SiC परत के विकास की आवश्यकता होती है, एपिटैक्सियल परत उच्च वोल्टेज और उच्च धारा जैसे बिजली अनुप्रयोगों के लिए उपकरणों के निर्माण में मदद करती है, उदाहरण के लिए SBD, MOSFET, आदि। इसके विपरीत, GaN एपिटैक्सियल परत का निर्माण अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC पर किया जाता है। संचार जैसे रेडियो फ्रीक्वेंसी अनुप्रयोगों के लिए एचईएमटी जैसे उपकरणों के निर्माण के लिए सब्सट्रेट। ऐसा करने के लिए, एसीवीडी उपकरण(अन्य तकनीकी तरीकों के बीच) आवश्यक है। यह उपकरण सब्सट्रेट सतह पर विकास स्रोत सामग्री के रूप में III और II समूह तत्वों और V और VI समूह तत्वों को जमा कर सकता है।
मेंसीवीडी उपकरण, सब्सट्रेट को सीधे धातु पर नहीं रखा जा सकता है या केवल एपिटैक्सियल जमाव के लिए आधार पर नहीं रखा जा सकता है। ऐसा इसलिए है क्योंकि गैस प्रवाह की दिशा (क्षैतिज, ऊर्ध्वाधर), तापमान, दबाव, निर्धारण, दूषित पदार्थों का बहना आदि सभी कारक हैं जो प्रक्रिया को प्रभावित कर सकते हैं। इसलिए, एक ससेप्टर की आवश्यकता होती है जहां सब्सट्रेट को डिस्क पर रखा जाता है, और फिर सीवीडी तकनीक का उपयोग सब्सट्रेट पर एपिटैक्सियल जमाव करने के लिए किया जाता है। यह ससेप्टर एक SiC-लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर (जिसे ट्रे के रूप में भी जाना जाता है) है।
The ग्रेफाइट रिसीवरमें एक महत्वपूर्ण घटक हैएमओसीवीडी उपकरण. यह सब्सट्रेट के वाहक और हीटिंग तत्व के रूप में कार्य करता है। इसकी थर्मल स्थिरता, एकरूपता और अन्य प्रदर्शन पैरामीटर महत्वपूर्ण कारक हैं जो एपिटैक्सियल सामग्री के विकास की गुणवत्ता निर्धारित करते हैं, और सीधे पतली फिल्म सामग्री की एकरूपता और शुद्धता को प्रभावित करते हैं। इसलिए, की गुणवत्ताग्रेफाइट रिसीवरएपिटैक्सियल वेफर्स की तैयारी में महत्वपूर्ण है। हालाँकि, ससेप्टर की उपभोग्य प्रकृति और बदलती कार्य स्थितियों के कारण, यह आसानी से खो जाता है।
ग्रेफाइट में उत्कृष्ट तापीय चालकता और स्थिरता होती है, जो इसे एक आदर्श आधार घटक बनाती हैएमओसीवीडी उपकरण. हालाँकि, शुद्ध ग्रेफाइट को कुछ चुनौतियों का सामना करना पड़ता है। उत्पादन के दौरान, अवशिष्ट संक्षारक गैसें और धातु कार्बनिक पदार्थ संग्राहक को संक्षारण और पाउडर बना सकते हैं, जिससे इसकी सेवा जीवन काफी कम हो जाता है। इसके अतिरिक्त, गिरने वाला ग्रेफाइट पाउडर चिप में प्रदूषण का कारण बन सकता है। इसलिए, आधार की तैयारी प्रक्रिया के दौरान इन समस्याओं को हल करने की आवश्यकता है।
कोटिंग तकनीक एक ऐसी प्रक्रिया है जिसका उपयोग सतहों पर पाउडर को ठीक करने, तापीय चालकता बढ़ाने और गर्मी को समान रूप से वितरित करने के लिए किया जा सकता है। यह तकनीक इस समस्या को हल करने का प्राथमिक तरीका बन गई है। अनुप्रयोग वातावरण और ग्रेफाइट बेस की उपयोग आवश्यकताओं के आधार पर, सतह कोटिंग में निम्नलिखित विशेषताएं होनी चाहिए:
1. उच्च घनत्व और पूर्ण आवरण: ग्रेफाइट बेस उच्च तापमान, संक्षारक कार्य वातावरण में है, और सतह को पूरी तरह से कवर किया जाना चाहिए। अच्छी सुरक्षा प्रदान करने के लिए कोटिंग में अच्छा घनत्व भी होना चाहिए।
2. अच्छी सतह समतलता: चूंकि एकल क्रिस्टल विकास के लिए उपयोग किए जाने वाले ग्रेफाइट बेस के लिए उच्च सतह समतलता की आवश्यकता होती है, इसलिए कोटिंग तैयार होने के बाद आधार की मूल समतलता बनाए रखी जानी चाहिए। इसका मतलब है कि कोटिंग की सतह एक समान होनी चाहिए।
3. अच्छी बॉन्डिंग ताकत: ग्रेफाइट बेस और कोटिंग सामग्री के बीच थर्मल विस्तार गुणांक में अंतर को कम करने से दोनों के बीच बॉन्डिंग ताकत में प्रभावी ढंग से सुधार हो सकता है। उच्च और निम्न तापमान तापीय चक्रों का अनुभव करने के बाद, कोटिंग को तोड़ना आसान नहीं होता है।
4. उच्च तापीय चालकता: उच्च गुणवत्ता वाली चिप वृद्धि के लिए ग्रेफाइट बेस से तेज और समान गर्मी की आवश्यकता होती है। इसलिए, कोटिंग सामग्री में उच्च तापीय चालकता होनी चाहिए।
5. उच्च पिघलने बिंदु, ऑक्सीकरण के लिए उच्च तापमान प्रतिरोध, और संक्षारण प्रतिरोध: कोटिंग उच्च तापमान और संक्षारक कार्य वातावरण में स्थिर रूप से काम करने में सक्षम होना चाहिए।
वर्तमान में,सिलिकॉन कार्बाइड (SiC)उच्च तापमान और संक्षारक गैस वातावरण में इसके असाधारण प्रदर्शन के कारण ग्रेफाइट कोटिंग के लिए पसंदीदा सामग्री है। इसके अलावा, ग्रेफाइट के साथ इसका करीबी थर्मल विस्तार गुणांक उन्हें मजबूत बंधन बनाने में सक्षम बनाता है। इसके अतिरिक्त,टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंगयह भी एक अच्छा विकल्प है, और यह अधिक उच्च तापमान (>2000℃) वातावरण में खड़ा रह सकता है।
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