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ग्राफ़िटाइज़िंग क्या है?

2024-01-15

ग्रेफाइटिंग उच्च तापमान ताप उपचार द्वारा गैर-ग्रेफाइटिक चारकोल को ग्रेफाइट त्रि-आयामी नियमित रूप से व्यवस्थित संरचना के साथ ग्रेफाइटिक चारकोल में बदलने की प्रक्रिया है, जिसमें चारकोल सामग्री को 2300 ~ 3000 ℃ तक गर्म करने के लिए विद्युत प्रतिरोध गर्मी का पूरा उपयोग किया जाता है, और चारकोल को परिवर्तित किया जाता है। क्रमबद्ध ग्रेफाइट क्रिस्टलीय संरचना में अनाकार अराजक परत संरचना के साथ।


पूरी प्रक्रिया ग्रेफाइट क्रिस्टलीय संरचना परिवर्तन, उच्च तापमान ताप उपचार से ऊर्जा की परमाणु पुनर्व्यवस्था, परमाणु पुनर्व्यवस्था के उच्च तापमान ताप उपचार का उपयोग और ऊर्जा प्रदान करने के लिए संरचनात्मक परिवर्तन है, इस प्रक्रिया के लिए बड़ी मात्रा में ऊर्जा की खपत की आवश्यकता होती है, गर्मी उपचार तापमान में वृद्धि के साथ, ग्रेफाइट परत का अंतर धीरे-धीरे छोटा हो जाता है, आम तौर पर 0.343 ~ 0.346 एनएम की सीमा में, परिवर्तन महत्वपूर्ण होने पर तापमान का सामान्य तापमान 2500 ℃ तक, परिवर्तन धीरे-धीरे होने पर 3000 ℃ तक होता है संपूर्ण ग्रेफाइट क्रिस्टल संरचना के पूरा होने तक धीमी गति से। जब तक पूरी ग्राफ़िटाइज़िंग प्रक्रिया पूरी नहीं हो जाती, तब तक ग्राफ़िटाइज़िंग प्रक्रिया धीरे-धीरे धीमी हो जाती है।


ग्राफ़िटाइज़िंग के 3 मुख्य प्रभाव हैं:


1. कार्बन सामग्री की तापीय और विद्युत चालकता में सुधार, प्रतिरोधकता 4-5 गुना कम हो जाती है, और तापीय चालकता लगभग 10 गुना बढ़ जाती है;


2. कार्बन सामग्री के थर्मल शॉक प्रतिरोध और रासायनिक स्थिरता में सुधार करें (रैखिक विस्तार के गुणांक को 50-80% तक कम करें), कार्बन सामग्री में चिकनाई और पहनने-रोधी गुण बनाएं, और कार्बन सामग्री (राख सामग्री) की शुद्धता में सुधार करें उत्पाद का प्रतिशत 0.5-0.8% से घटकर लगभग 0.3% हो गया है


3. अशुद्धियों को दूर करना और शुद्ध करना। जब ग्राफ़िटाइज़िंग तापमान लगभग 2200 डिग्री सेल्सियस तक बढ़ जाता है, तो लिथियम आयन बैटरी के लिए एनोड सामग्री में अशुद्धियाँ मूल रूप से समाप्त हो जाती हैं।


कृत्रिम ग्रेफाइट एनोड की तैयारी के लिए ग्राफिटाइजेशन मुख्य प्रक्रिया है, जो एक निश्चित सीमा तक कृत्रिम ग्रेफाइट उत्पादों की गुणवत्ता और गुणवत्ता स्थिरता निर्धारित करती है; ग्रेफाइटाइजेशन की डिग्री को और बढ़ाने के लिए प्राकृतिक ग्रेफाइट के कुछ हिस्से को उच्च तापमान पर भी संसाधित किया जाएगा, जिससे ऊर्जा घनत्व में सुधार होगा।



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