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SiC क्रिस्टल में दोषों के बारे में - माइक्रोपाइप

2023-08-18

SiC सब्सट्रेट में सूक्ष्म दोष हो सकते हैं, जैसे थ्रेडिंग स्क्रू डिस्लोकेशन (TSD), थ्रेडिंग एज डिस्लोकेशन (TED), बेस प्लेन डिस्लोकेशन (BPD), और अन्य। ये दोष परमाणु स्तर पर परमाणुओं की व्यवस्था में विचलन के कारण होते हैं। SiC क्रिस्टल में मैक्रोस्कोपिक अव्यवस्थाएं भी हो सकती हैं, जैसे Si या C समावेशन, माइक्रोपाइप, हेक्सागोनल रिक्तियां, बहुरूपता आदि। ये अव्यवस्थाएं आम तौर पर आकार में बड़ी होती हैं।




SiC उपकरणों के निर्माण में प्रमुख मुद्दों में से एक त्रि-आयामी माइक्रोस्ट्रक्चर है जिसे "माइक्रोपाइप" या "पिनहोल" के रूप में जाना जाता है, जो आमतौर पर क्रमशः 30-40um और 0.1-5um आकार के होते हैं। इन माइक्रोपाइप का घनत्व 10-10³/सेमी² होता है और ये एपिटैक्सियल परत में प्रवेश कर सकते हैं, जिसके परिणामस्वरूप डिवाइस-किलर दोष हो सकते हैं। वे मुख्य रूप से स्पाइरो डिस्लोकेशन के क्लस्टरिंग के कारण होते हैं और इन्हें SiC उपकरणों के विकास में प्राथमिक बाधा माना जाता है।


Microtubule defects on the substrate are the source of other defects formed in the epitaxial layer during the growth process, such as voids, inclusions of various polymorphs, twins, etc. Therefore, the most important thing to do during the growth process of the substrate material for high-voltage and high-power SiC devices is to reduce the formation of microtubule defects in bulk SiC crystals and to prevent them from entering the epitaxial layer.


माइक्रोपाइप को छोटे गड्ढों के रूप में देखा जा सकता है, और प्रक्रिया की स्थितियों को अनुकूलित करके हम माइक्रोपाइप के घनत्व को कम करने के लिए "गड्ढों को भर सकते हैं"। साहित्य और प्रयोगात्मक डेटा में कई अध्ययनों से पता चला है कि वाष्पीकरण एपिटैक्सी, सीवीडी वृद्धि, और तरल-चरण एपिटैक्सी माइक्रोपाइप में भर सकती है और माइक्रोपाइप और अव्यवस्थाओं के गठन को कम कर सकती है।


सेमीकोरेक्स एसआईसी कोटिंग्स बनाने के लिए एमओसीवीडी तकनीक का उपयोग करता है जो माइक्रोपाइप घनत्व को प्रभावी ढंग से कम करता है, जिसके परिणामस्वरूप उच्च गुणवत्ता वाले उत्पाद प्राप्त होते हैं। यदि आपके पास कोई पूछताछ है या अतिरिक्त विवरण की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।


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