टीएसी कोटिंग

TaC सिरेमिक का गलनांक 3880°C, उच्च कठोरता (Mohs कठोरता 9-10), बड़ी तापीय चालकता (22W·m) तक होता है।^-1·क^-1), बड़ी लचीली ताकत (340-400MPa), और थर्मल विस्तार का छोटा गुणांक (6.6×10^-6K-1), और उत्कृष्ट थर्मोकेमिकल स्थिरता और उत्कृष्ट भौतिक गुणों का प्रदर्शन करते हैं, इसलिए TaC कोटिंग्स का व्यापक रूप से एयरोस्पेस थर्मल संरक्षण में उपयोग किया जाता है, और ग्रेफाइट और C/C कंपोजिट में अच्छी रासायनिक अनुकूलता और यांत्रिक अनुकूलता होती है। ), और उत्कृष्ट थर्मोकेमिकल स्थिरता और उत्कृष्ट भौतिक गुण दिखाते हैं, और ग्रेफाइट और सी/सी कंपोजिट में अच्छी रासायनिक अनुकूलता और यांत्रिक अनुकूलता होती है, इसलिए टीएसी कोटिंग्स का व्यापक रूप से एयरोस्पेस थर्मल संरक्षण, एकल क्रिस्टल विकास, ऊर्जा और इलेक्ट्रॉनिक्स और चिकित्सा उपकरणों में उपयोग किया जाता है। आदि। TaC-लेपित ग्रेफाइट में नंगे ग्रेफाइट या SiC-लेपित ग्रेफाइट की तुलना में बेहतर रासायनिक प्रतिरोध होता है, और इसे 2600° के उच्च तापमान पर स्थिर रूप से उपयोग किया जा सकता है। 2600 ° उच्च तापमान स्थिरता, और कई धातु तत्व प्रतिक्रिया नहीं करते हैं, कोटिंग के सर्वोत्तम प्रदर्शन में अर्धचालक एकल क्रिस्टल विकास और वेफर नक़्क़ाशी परिदृश्यों की तीसरी पीढ़ी है, जो तापमान और अशुद्धता नियंत्रण की प्रक्रिया में काफी सुधार कर सकती है, उच्च की तैयारी -गुणवत्ता वाले सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स और संबंधित एपिटैक्सियल वेफर। यह GaN या AlN एकल क्रिस्टल विकसित करने के लिए MOCVD उपकरण और SiC एकल क्रिस्टल विकसित करने के लिए PVT उपकरण के लिए विशेष रूप से उपयुक्त है, और विकसित एकल क्रिस्टल की गुणवत्ता में काफी सुधार हुआ है।

शोध परिणामों के अनुसार,TaC कोटिंग ग्रेफाइट घटक जीवन को बढ़ाने, रेडियल तापमान एकरूपता में सुधार करने, SiC उर्ध्वपातन स्टोइकोमेट्री को बनाए रखने, अशुद्धता प्रवासन को दबाने और ऊर्जा खपत को कम करने के लिए एक सुरक्षा और अलगाव परत के रूप में कार्य कर सकती है। अंततः TaC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल सेट से SiC PVT प्रक्रिया नियंत्रण और उत्पाद की गुणवत्ता में सुधार होने की उम्मीद है।